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2N7002-T1-E3中文资料

2N7002-T1-E3图片

2N7002-T1-E3外观图

  • 大小:59KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:115mA; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:80mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Pulse Current Idm:800mA; SMD Marking:72; Tape Width:8mm; T...
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
  • 功率 - 最大:200mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:TO-236
  • 包装:带卷 (TR)

2N7002-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-29 14:27:38
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